羅門哈斯電子材料公司韓國天安研發中心成功擴建

中國，上海，2007年6月5日 – 羅門哈斯電子材料公司於5月29日（星期二）為其新落成的韓國天安研發中心舉行了盛大的啟用儀式。

羅門哈斯近期計畫斥資3000萬美金擴建其位於天安市的微電子技術基地，而這個研發中心就是擴建計畫中的一部分。該中心啟用後將大大增強羅門哈斯電子材料公司在193納米光刻膠及有機和矽基抗反射塗層領域的全球研發實力。天安研發中心為研發及工程技術人員配備了先進的193納米和248納米光刻集群系統及行業領先的檢測及度量工具。

“很高興看到擴建計畫迅速付諸實施”，羅門哈斯電子材料公司（韓國）微電子技術事業部總裁Hoe-Sik Chung博士表示。“新的研發中心啟用後，將大大加快我們的研發進程。雄厚的研發實力以及我們已具備的先進製造能力，會不斷增強我們的研發基礎設施，使之能更好地滿足當地半導體行業的發展需求。”

“我們在進行技術資源分佈時充分考慮到了當地客戶的需求” ，微電子技術事業部研發總監Peter Trefonas博士表示。“新落成的天安研發中心能夠迅速回應當地客戶需求，並為客戶與技術專家提供了緊密交流的平臺。”

根據投資計畫，羅門哈斯在2007年將進一步加大對天安基地的研發及工程技術資源的投入，以逐步滿足當地及全球市場對下一代半導體材料的需求。

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