罗门哈斯电子材料公司韩国天安研发中心成功扩建

中国，上海，2007年6月5日 – 罗门哈斯电子材料公司于5月29日（星期二）为其新落成的韩国天安研发中心举行了盛大的启用仪式。

罗门哈斯近期计划斥资3000万美金扩建其位于天安市的微电子技术基地，而这个研发中心就是扩建计划中的一部分。该中心启用后将大大增强罗门哈斯电子材料公司在193纳米光刻胶及有机和硅基抗反射涂层领域的全球研发实力。天安研发中心为研发及工程技术人员配备了先进的193纳米和248纳米光刻集群系统及行业领先的检测及度量工具。

“很高兴看到扩建计划迅速付诸实施”，罗门哈斯电子材料公司（韩国）微电子技术事业部总裁Hoe-Sik Chung博士表示。“新的研发中心启用后，将大大加快我们的研发进程。雄厚的研发实力以及我们已具备的先进制造能力，会不断增强我们的研发基础设施，使之能更好地满足当地半导体行业的发展需求。”

“我们在进行技术资源分布时充分考虑到了当地客户的需求” ，微电子技术事业部研发总监Peter Trefonas博士表示。“新落成的天安研发中心能够迅速响应当地客户需求，并为客户与技术专家提供了紧密交流的平台。”

根据投资计划，罗门哈斯在2007年将进一步加大对天安基地的研发及工程技术资源的投入，以逐步满足当地及全球市场对下一代半导体材料的需求。

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